一、什么是IGBT
IGBT全称绝缘栅双极型晶体管(Insulated‑Gate Bipolar Transistor),是把MOSFET和双极型三极管BJT结合而成的复合功率半导体器件。它同时拥有MOS管的电压驱动、易控制的特点,以及双极三极管大电流、低导通压降的优点,是电力电子设备里的核心功率开关。广泛应用于逆变器、储能、充电桩、电焊机、变频家电、工业变频器等高压大功率场景。
二、IGBT工作原理
IGBT分为三个电极:栅极G、集电极C、发射极E。栅极与沟道部分类似MOSFET,属于电压控制,只需要给栅极施加一定正向电压,就能形成导电沟道;继而触发BJT双极部分导通,大电流从集电极流向发射极。
导通:栅极‑发射极施加正向电压,栅极下面形成N型导电沟道,注入少数载流子,PNP三极管开启,器件导通,电流C→E流过负载。
关断:将栅极电压移除或者施加负压,导电沟道消失,器件快速关断,切断主回路电流。
简单理解:IGBT用MOS管做“控制开关”,用双极三极管承担“大电流导通”;输入是电压驱动,驱动简单,输出可以承受很大功率。
三、IGBT核心优势
对比小提示:小功率、高频场景优先选MOSFET;大功率高压场景,IGBT凭借低饱和压降优势更有性价比。微型逆变器、储能变流器、充电桩大功率桥臂,大量使用IGBT器件。
四、典型应用场景
光伏逆变器、微型逆变器、储能变流器PCS、新能源汽车车载电控、交流充电桩、电焊机、工业变频器、感应加热、大功率UPS不间断电源、变频空调。
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